La course aux rendements et à la miniaturisation des systèmes suscite le développement d’une nouvelle génération de semi-conducteurs dits «à grand gap», à base de carbure de silicium (SiC), de nitrure de gallium (GaN) ou de diamant, plus performants que le silicium. Les équipementiers, tels Schneider Electric, sont demandeurs, mais attendent que les fabricants de composants réduisent les coûts. Dans le même temps, les laboratoires de recherche s’efforcent d’étendre les possibilités techniques de ces nouveaux dispositifs.